Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)和松下公司联合开发经过验证的第二代(Gen2)氮化镓(Gen2)。与。签订了制造合同。GaN)技术提供了更高的效率和功率密度水平。卓越的性能和可靠性与8英寸GaN-on- si晶圆制造能力相结合，表明英飞凌的战略延伸，以满足不断增长的GaN功率半导体需求。根据市场需求，Gen2将被开发为650 V GaN HEMT。这些设备易于使用，提高价格/性能比，特别是高功率和低功率SMPS应用，可再生能源和电机驱动应用。
在许多设计中，氮化镓(GaN)比硅具有根本性的优势。与硅mosfet相比，氮化镓hemt由于其特定的动态通态电阻和较小的电容，非常适合于快速开关。由此带来的电力节约和整体系统成本节约、更高的运行频率、更高的功率密度和整体系统效率使GaN成为设计工程师非常有吸引力的选择。
“除了第一代的高可靠性标准，下一代客户将受益于转向8英寸晶圆制造，这将使晶体管更容易控制，并显著改善其成本地位。将会得到。”Andreas Urschitz，英飞凌电力和传感器系统部门总裁。类似于英飞凌的CoolGaN™和松下的X-GaN™，第二代是基于通常关闭的硅上GaN晶体管结构。这一点，再加上混合漏极嵌入式栅注入晶体管(HD-GIT)结构无与伦比的健壮性，使这些组件成为最佳产品，并成为市场上长期可靠的解决方案之一。
“我们很高兴与英飞凌在氮化镓组件方面扩大合作关系。Tetsuzo Ueda，松下工业解决方案有限公司工程部副总监，已联手带来最高质量和最新的Gen1和Gen2设备。它将在创新发展的基础上加以应用。
可用性
新的650V GaN Gen2设备计划在2023年上半年推出。
https://electronicsmaker.com/infineon-and-panasonic-accelerate-gan-technology-development-for-650-v-gan-power-devices英飞凌和松下为650V GaN功率器件加速GaN技术开发
